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STD15N50M2AG

STD15N50M2AG
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Référence STD15N50M2AG
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 70297 pcs
Référence Prix
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Référence STD15N50M2AG Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 70297 pcs Fiche technique Power Mgmt Guide BrochureSTD15N50M2AG
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DPAK Séries Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5A, 10V Dissipation de puissance (max) 85W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms 497-17880-2
STD15N50M2AG-ND		 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 500V Description détaillée N-Channel 500V 10A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)

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