STD5NM50AG
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| Référence | STD5NM50AG |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | POWER TRANSISTORS |
| État sans plomb / État RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.274 | |||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | STD5NM50AG | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | POWER TRANSISTORS | État sans plomb / État RoHS | |
| Quantité disponible | 75263 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | DPAK | Séries | MDmesh™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 2.5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 100W (Tc) |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 415pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 500V | Description détaillée | N-Channel 500V 7.5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 7.5A (Tc) |
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