STD7NM80-1
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| Référence | STD7NM80-1 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.523 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STD7NM80-1 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 67525 pcs | Fiche technique | STx7NM80(-1) Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | I-PAK | Séries | MDmesh™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 3.25A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 90W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Autres noms | 497-12787-5 STD7NM80-1-ND STD7NM801 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 800V | Description détaillée | N-Channel 800V 6.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6.5A (Tc) |
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