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STD85N10F7AG

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Référence STD85N10F7AG
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 60602 pcs
Référence Prix
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Référence STD85N10F7AG Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 100V 70A DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 60602 pcs Fiche technique STD85N10F7AG DatasheetSpice Model Tutorial for Power MOSFETS
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DPAK Séries Automotive, AEC-Q101, STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 40A, 10V Dissipation de puissance (max) 85W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms 497-16516-2 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V Description détaillée N-Channel 100V 70A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc)

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