STD90N02L-1
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| Référence | STD90N02L-1 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 25V 60A IPAK |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.28 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STD90N02L-1 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 25V 60A IPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 78246 pcs | Fiche technique | STD90N02L(-1) |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | I-PAK | Séries | STripFET™ III |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 30A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 70W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 16V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 25V |
| Description détaillée | N-Channel 25V 60A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 60A (Tc) |
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