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STD8N60DM2

STD8N60DM2
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Référence STD8N60DM2
Fabricant STMicroelectronics
La description N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 86339 pcs
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Référence STD8N60DM2 Fabricant STMicroelectronics
La description N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 86339 pcs Fiche technique STD8N60DM2 DatasheetPower Mgmt Guide Brochure
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DPAK Séries MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 4A, 10V Dissipation de puissance (max) 85W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms 497-16930-2 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 375pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V Description détaillée N-Channel 600V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)

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