STFI10LN80K5
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| Référence | STFI10LN80K5 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 800V 8A I2PAKFP |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | STFI10LN80K5 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 800V 8A I2PAKFP | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5869 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | I2PAKFP (TO-281) | Séries | MDmesh™ K5 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 630 mOhm @ 4A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 20W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 427pF @ 100V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 800V |
| Description détaillée | N-Channel 800V 8A (Tc) 20W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) |
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