STFI11NM65N
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| Référence | STFI11NM65N |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STFI11NM65N | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5612 pcs | Fiche technique | STx(x)11NM65N |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | I2PAKFP (TO-281) | Séries | MDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 455 mOhm @ 5.5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 25W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Autres noms | 497-13388-5 | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V | Description détaillée | N-Channel 650V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |
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