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STGE200NB60S

STGE200NB60S
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Référence STGE200NB60S
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5000 pcs
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Référence STGE200NB60S Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5000 pcs Fiche technique STGE200NB60S
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 100A Package composant fournisseur ISOTOP
Séries PowerMESH™ Puissance - Max 600W
Package / Boîte ISOTOP Autres noms 497-6731-5
STGE200NB60S-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) NTC thermistance No
Type de montage Chassis Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 1.56nF @ 25V Contribution Standard
type de IGBT - Description détaillée IGBT Module Single 600V 200A 600W Chassis Mount ISOTOP
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500µA Courant - Collecteur (Ic) (max) 200A
Configuration Single

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