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STGD7NB120S-1

STGD7NB120S-1
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Référence STGD7NB120S-1
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 1200V 10A 55W IPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 99024 pcs
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Référence STGD7NB120S-1 Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 1200V 10A 55W IPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 99024 pcs Fiche technique STGD7NB120S-1
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 7A Condition de test 960V, 7A, 1 kOhm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 570ns/- énergie de commutation 15mJ (off)
Package composant fournisseur I-PAK Séries PowerMESH™
Puissance - Max 55W Emballage Tube
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT - gate charge 29nC
Description détaillée IGBT 1200V 10A 55W Through Hole I-PAK Courant - Collecteur pulsée (Icm) 20A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 10A Numéro de pièce de base STG*7NB

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