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STGP10M65DF2

STGP10M65DF2
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Référence STGP10M65DF2
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 650V 10A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 77755 pcs
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Référence STGP10M65DF2 Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 650V 10A TO-220AB État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 77755 pcs Fiche technique STGP10M65DF2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A Condition de test 400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 19ns/91ns énergie de commutation 120µJ (on), 270µJ (off)
Package composant fournisseur TO-220 Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 96ns Puissance - Max 115W
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-15840-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 28nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Through Hole TO-220
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 40A Courant - Collecteur (Ic) (max) 20A

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