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STGP10NB60SD

STGP10NB60SD
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Référence STGP10NB60SD
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 29A 80W TO220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 53096 pcs
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Référence STGP10NB60SD Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 29A 80W TO220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 53096 pcs Fiche technique STG(F,P)10NB60SD
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 10A Condition de test 480V, 10A, 1 kOhm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 700ns/1.2µs énergie de commutation 600µJ (on), 5mJ (off)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries PowerMESH™
Temps de recouvrement inverse (trr) 37ns Puissance - Max 80W
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-5008-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT - gate charge 33nC
Description détaillée IGBT 600V 29A 80W Through Hole TO-220AB Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 29A Numéro de pièce de base STG*10NB

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