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STGP15M65DF2

STGP15M65DF2
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Référence STGP15M65DF2
Fabricant STMicroelectronics
La description TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 83974 pcs
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Référence STGP15M65DF2 Fabricant STMicroelectronics
La description TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 83974 pcs Fiche technique STGP15M65DF2 Datasheet
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Condition de test 400V, 15A, 12 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 24ns/93ns énergie de commutation 90µJ (on), 450µJ (off)
Package composant fournisseur TO-220 Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 142ns Puissance - Max 136W
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-16482-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop gate charge 45nC
Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 30A 136W Through Hole TO-220 Courant - Collecteur pulsée (Icm) 60A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 30A

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