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STGP20M65DF2

STGP20M65DF2
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Référence STGP20M65DF2
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT TRENCH 650V 40A TO220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 87283 pcs
Référence Prix
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Référence STGP20M65DF2 Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT TRENCH 650V 40A TO220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 87283 pcs Fiche technique STGP20M65DF2Power Mgmt Guide Brochure
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Condition de test 400V, 20A, 12 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 26ns/108ns énergie de commutation 140µJ (on), 560µJ (off)
Package composant fournisseur TO-220 Séries M
Temps de recouvrement inverse (trr) 166ns Puissance - Max 166W
Package / Boîte TO-220-3 Autres noms 497-17909
STGP20M65DF2-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop gate charge 63nC
Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 40A 166W Through Hole TO-220 Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40A

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