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STGW35NB60SD

STGW35NB60SD
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Référence STGW35NB60SD
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 70A 200W TO247
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 33064 pcs
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Référence STGW35NB60SD Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 70A 200W TO247 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 33064 pcs Fiche technique STGW35NB60SD
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 20A Condition de test 480V, 20A, 100 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 92ns/1.1µs énergie de commutation 840µJ (on), 7.4mJ (off)
Package composant fournisseur TO-247-3 Séries PowerMESH™
Temps de recouvrement inverse (trr) 44ns Puissance - Max 200W
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Autres noms 497-16202-5
STGW35NB60SD-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT -
gate charge 83nC Description détaillée IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 250A Courant - Collecteur (Ic) (max) 70A

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