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STGW40H65DFB-4

STGW40H65DFB-4
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Référence STGW40H65DFB-4
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT
État sans plomb / État RoHS
In Stock 27698 pcs
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Référence STGW40H65DFB-4 Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible 27698 pcs Fiche technique STGW40H65DFB-4
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Condition de test 400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 40ns/142ns énergie de commutation 200µJ (on), 410µJ (off)
Package composant fournisseur TO-247-4L Séries HB
Temps de recouvrement inverse (trr) 62ns Puissance - Max 283W
Package / Boîte TO-247-4 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 210nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-247-4L
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 160A Courant - Collecteur (Ic) (max) 80A

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