STH315N10F7-2
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| Référence | STH315N10F7-2 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.438 | $2.175 | $1.784 | $1.444 | ||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STH315N10F7-2 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 23978 pcs | Fiche technique | STH315N10F7-2,STH315N10F7-6 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | H2Pak-2 | Séries | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 60A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 315W (Tc) |
| Emballage | Cut Tape (CT) | Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms | 497-14718 497-14718-1 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 38 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12800pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Description détaillée | N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2Pak-2 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 180A (Tc) |
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