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STH3N150-2

STH3N150-2
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Référence STH3N150-2
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 17897 pcs
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Référence STH3N150-2 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 17897 pcs Fiche technique STx3N150
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur H²PAK Séries PowerMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 Ohm @ 1.3A, 10V Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Autres noms 497-13876-1 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 939pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29.3nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 1500V
Description détaillée N-Channel 1500V 2.5A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount H²PAK Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Tc)

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