STH52N10LF3-2AG
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| Référence | STH52N10LF3-2AG |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.354 | |||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | STH52N10LF3-2AG | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 88048 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | H2Pak-2 | Séries | STripFET™ F3 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 26A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 110W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 38 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 400V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 5V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V | Description détaillée | N-Channel 100V 52A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2Pak-2 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 52A (Tc) |
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