STL3N65M2
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| Référence | STL3N65M2 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.165 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STL3N65M2 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 120708 pcs | Fiche technique | STL3N65M2 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PowerFlat™ (3.3x3.3) | Séries | MDmesh™ M2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 1A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 22W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 8-PowerVDFN |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 155pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V | Description détaillée | N-Channel 650V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.3A (Tc) |
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