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STL9P2UH7

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Référence STL9P2UH7
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 83128 pcs
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Référence STL9P2UH7 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 83128 pcs Fiche technique STL9P2UH7
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerFlat™ (3.3x3.3) Séries STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V Dissipation de puissance (max) 2.9W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 8-PowerVDFN
Autres noms 497-15147-2 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2390pF @ 16V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V type de FET P-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20V Description détaillée P-Channel 20V 9A (Tc) 2.9W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc)

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