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STN3NF06

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Référence STN3NF06
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 154974 pcs
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Référence STN3NF06 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 154974 pcs Fiche technique STN3NF06
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-223 Séries STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 1.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 3.3W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA
Autres noms 497-4764-2 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 315pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V Description détaillée N-Channel 60V 4A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)

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