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STN3NF06L

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Référence STN3NF06L
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 301711 pcs
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Référence STN3NF06L Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 60V 4A SOT223 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 301711 pcs Fiche technique STN3NF06L
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Test 340pF @ 25V
Tension - Ventilation SOT-223 Vgs (th) (Max) @ Id 100 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (Max) 5V, 10V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Séries STripFET™ II État RoHS Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4A (Tc) Polarisation TO-261-4, TO-261AA
Autres noms 497-3177-2 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 18 Weeks Référence fabricant STN3NF06L
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9nC @ 5V type de IGBT ±16V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.8V @ 250µA Fonction FET N-Channel
Description élargie N-Channel 60V 4A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223 Tension drain-source (Vdss) -
La description MOSFET N-CH 60V 4A SOT223 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60V
Ratio de capacité 3.3W (Tc)

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