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STP10P6F6

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Référence STP10P6F6
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET P CH 60V 10A TO-220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 66026 pcs
Référence Prix
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Référence STP10P6F6 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET P CH 60V 10A TO-220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 66026 pcs Fiche technique Power Mgmt Guide BrochureSTx10P6F6
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 Séries DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 5A, 10V Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-13440 Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 48V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V
type de FET P-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 60V
Description détaillée P-Channel 60V 10A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)

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