STP11N65M2
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| Référence | STP11N65M2 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.382 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STP11N65M2 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 98312 pcs | Fiche technique | ST(D, P, U)11N65M2 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220 | Séries | MDmesh™ II Plus |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670 mOhm @ 3.5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 85W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 |
| Autres noms | 497-15039-5 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 100V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Description détaillée | N-Channel 650V 7A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 7A (Tc) |
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