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STP16N50M2

STP16N50M2
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Référence STP16N50M2
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 500V 13A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 59525 pcs
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Référence STP16N50M2 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 500V 13A TO-220AB État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 59525 pcs Fiche technique ST(D,F,P)16N50M2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 Séries MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 6.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-15274-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 100V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19.5nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 500V
Description détaillée N-Channel 500V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc)

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