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STP16N60M2

STP16N60M2
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Référence STP16N60M2
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 60845 pcs
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Référence STP16N60M2 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 60845 pcs Fiche technique ST(P,U)16N60M2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 Séries MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 6A, 10V Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-16022-5 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V Description détaillée N-Channel 600V 12A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)

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