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STP200N3LL

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Référence STP200N3LL
Fabricant STMicroelectronics
La description N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 95151 pcs
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Référence STP200N3LL Fabricant STMicroelectronics
La description N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 95151 pcs Fiche technique Power Mgmt Guide BrochureSTP200N3LL Datasheet
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 60A, 10V Dissipation de puissance (max) 176.5W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-16935 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 4.5V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée N-Channel 30V 120A (Tc) 176.5W (Tc) Through Hole TO-220 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)

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