STP20N60M2-EP
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| Référence | STP20N60M2-EP |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.451 | |||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | STP20N60M2-EP | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 73666 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Vgs (Max) | - | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220 | Séries | MDmesh™ M2-EP |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | Dissipation de puissance (max) | 110W (Tc) |
| Package / Boîte | TO-220-3 | Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 13A (Tc) |
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