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STP2N80K5

STP2N80K5
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Référence STP2N80K5
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 800V 2A TO220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 84402 pcs
Référence Prix
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Référence STP2N80K5 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 800V 2A TO220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 84402 pcs Fiche technique STx2N80K5
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Vgs (Max) 30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 Séries SuperMESH5™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 Ohm @ 1A, 10V Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-14279-5
STP2N80K5-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 95pF @ 100V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 800V
Description détaillée N-Channel 800V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc)

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