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STP2NK60Z

STP2NK60Z
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Référence STP2NK60Z
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 179583 pcs
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Référence STP2NK60Z Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 179583 pcs Fiche technique STF2NK60Z(x)
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 700mA, 10V Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-4377-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V Description détaillée N-Channel 600V 1.4A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.4A (Tc)

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