STP30NM60ND
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| Référence | STP30NM60ND |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 600V 25A TO-220 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.961 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STP30NM60ND | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 600V 25A TO-220 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 19817 pcs | Fiche technique | STx30NM60ND |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220AB | Séries | FDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 12.5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 190W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 |
| Autres noms | 497-8448-5 | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600V | Description détaillée | N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 25A (Tc) |
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