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STP34N65M5

STP34N65M5
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Référence STP34N65M5
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 650V 28A TO-220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 14751 pcs
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Référence STP34N65M5 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 650V 28A TO-220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 14751 pcs Fiche technique STB,I,P,W34N65M5
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 Séries MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 14A, 10V Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-13111-5 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62.5nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 650V Description détaillée N-Channel 650V 28A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc)

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