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STP3N80K5

STP3N80K5
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Référence STP3N80K5
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 86196 pcs
Référence Prix
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Référence STP3N80K5 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 86196 pcs Fiche technique STx3N80K5
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Vgs (Max) 30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 Séries SuperMESH5™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 1A, 10V Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-14281-5
STP3N80K5-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 130pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 800V Description détaillée N-Channel 800V 2.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Tc)

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