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STP36N60M6

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Référence STP36N60M6
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 33900 pcs
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Référence STP36N60M6 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 33900 pcs Fiche technique STP36N60M6, STW36N60M6
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 Séries MDmesh™ M6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 15A, 10V Dissipation de puissance (max) 208W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 Autres noms 497-17552
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) Not Applicable Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1960pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44.3nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V Description détaillée N-Channel 600V 30A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)

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