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STP4N90K5

STP4N90K5
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Référence STP4N90K5
Fabricant STMicroelectronics
La description N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
État sans plomb / État RoHS
In Stock 65723 pcs
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Référence STP4N90K5 Fabricant STMicroelectronics
La description N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP., État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible 65723 pcs Fiche technique Power Mgmt Guide BrochureSTP4N90K5
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 Séries MDmesh™ K5
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 1A, 10V Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-17070 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 173pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.3nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 900V Description détaillée N-Channel 900V 3A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)

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