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STP4NK60Z

STP4NK60Z
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Référence STP4NK60Z
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 89656 pcs
Référence Prix
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Référence STP4NK60Z Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 89656 pcs Fiche technique STP4NK60Z(FP)
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 2A, 10V Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-3191-5 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)

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