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Référence STP60NF10
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 37769 pcs
Référence Prix
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Référence STP60NF10 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 37769 pcs Fiche technique STB60NF10(-1), STP60NF10
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 40A, 10V Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-4384-5 Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4270pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 104nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 100V
Description détaillée N-Channel 100V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)

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