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STP6NK60Z

STP6NK60Z
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Référence STP6NK60Z
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 6A TO-220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 62389 pcs
Référence Prix
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Référence STP6NK60Z Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 6A TO-220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 62389 pcs Fiche technique STx6NK60Z(FP-1)
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 3A, 10V Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-3198-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 905pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V Description détaillée N-Channel 600V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)

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  • Partie#:STP6X2MIG
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