STP80NF55-08AG
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| Référence | STP80NF55-08AG |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CHANNEL 55V 80A TO220 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.83 | $0.749 | $0.602 | $0.468 | $0.388 | |
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | STP80NF55-08AG | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CHANNEL 55V 80A TO220 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 87682 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Vgs (Max) | - | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 |
| Autres noms | 497-17149 | Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 112nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 55V |
| Description détaillée | N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
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- Partie#:
SIT8208AI-G2-25E-66.666600T - Fabricant:
SiTime - La description:
-40 TO 85C, 2520, 25PPM, 2.5V, 6 - En stock:
85512