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STP80NF12

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Référence STP80NF12
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 120V 80A TO-220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 46583 pcs
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Référence STP80NF12 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 120V 80A TO-220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 46583 pcs Fiche technique STP80NF12
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 40A, 10V Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-6743-5
STP80NF12-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4300pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 189nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 120V
Description détaillée N-Channel 120V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)

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