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STP8NM50N

STP8NM50N
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Référence STP8NM50N
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 90674 pcs
Référence Prix
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Référence STP8NM50N Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 90674 pcs Fiche technique STx8NM50N
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 790 mOhm @ 2.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-10965-5 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 364pF @ 50V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 500V
Description détaillée N-Channel 500V 5A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc)

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