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STPSC1006G-TR

STPSC1006G-TR
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Référence STPSC1006G-TR
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Référence STPSC1006G-TR Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE SILICON 600V 10A D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4719 pcs Fiche technique STPSC1006
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Inverse de crête (max) Silicon Carbide Schottky
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 10A Tension - Ventilation D²PAK
Séries - État RoHS Tape & Reel (TR)
Temps de recouvrement inverse (trr) No Recovery Time > 500mA (Io) Résistance @ Si, F 650pF @ 0V, 1MHz
Polarisation TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Autres noms 497-11209-2
STPSC1006GTR
Température d'utilisation - Jonction 0ns Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Référence fabricant STPSC1006G-TR
Description élargie Diode Silicon Carbide Schottky 600V 10A Surface Mount D²PAK Configuration diode 150µA @ 600V
La description DIODE SILICON 600V 10A D2PAK Courant - fuite, inverse à Vr 1.7V @ 10A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 600V Capacité à Vr, F -40°C ~ 175°C

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