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STPSC10H065B-TR

STPSC10H065B-TR
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Référence STPSC10H065B-TR
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 53622 pcs
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Référence STPSC10H065B-TR Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 53622 pcs Fiche technique Silicon-Carbide Diodes FlyerSTPSC10H065Diodes and Rectifiers Selection Guide
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.75V @ 10A
Tension - inverse (Vr) (max) 650V Package composant fournisseur DPAK
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Autres noms 497-13450-2
STPSC10H065BTR
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 175°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Silicon Carbide Schottky Description détaillée Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A Surface Mount DPAK
Courant - fuite, inverse à Vr 100µA @ 650V Courant - Rectifié moyenne (Io) 10A
Capacité à Vr, F 480pF @ 0V, 1MHz Numéro de pièce de base STPSC10H065

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