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STPSC10H12G-TR

STPSC10H12G-TR
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Référence STPSC10H12G-TR
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 31425 pcs
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Référence STPSC10H12G-TR Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 31425 pcs Fiche technique STPSC10H12 Datasheet
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.5V @ 10A
Tension - inverse (Vr) (max) 1200V Package composant fournisseur D2PAK
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) Séries ECOPACK®
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Autres noms 497-17314-2
STPSC10H12G-TR-ND
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 175°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Silicon Carbide Schottky Description détaillée Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A Surface Mount D2PAK
Courant - fuite, inverse à Vr 60µA @ 1200V Courant - Rectifié moyenne (Io) 10A
Capacité à Vr, F 725pF @ 0V, 1MHz

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