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STPSC2H12B-TR1

STPSC2H12B-TR1
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Référence STPSC2H12B-TR1
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
État sans plomb / État RoHS
In Stock 78406 pcs
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Référence STPSC2H12B-TR1 Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible 78406 pcs Fiche technique Silicon-Carbide Diodes PresentationPower Mgmt Guide BrochureAutomotive-grade SiC Diodes FlyerSTPSC2H121200V SiC Diodes FlyerDiodes and Rectifiers Selection Guide
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.5V @ 2A
Tension - inverse (Vr) (max) 1200V Package composant fournisseur DPAK
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) Séries ECOPACK®
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Autres noms 497-17242-1
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 175°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Type de diode Silicon Carbide Schottky
Description détaillée Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 5A Surface Mount DPAK Courant - fuite, inverse à Vr 12µA @ 1200V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 5A Capacité à Vr, F 190pF @ 0V, 1MHz

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