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STPSC4H065D

STPSC4H065D
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Référence STPSC4H065D
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 77421 pcs
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Référence STPSC4H065D Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 77421 pcs Fiche technique Silicon-Carbide Diodes FlyerDiodes and Rectifiers Selection GuideSTPSC4H065
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.75V @ 4A
Tension - inverse (Vr) (max) 650V Package composant fournisseur TO-220AC
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-2 Autres noms 497-13443
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 175°C Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Silicon Carbide Schottky Description détaillée Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4A Through Hole TO-220AC
Courant - fuite, inverse à Vr 40µA @ 650V Courant - Rectifié moyenne (Io) 4A
Capacité à Vr, F 200pF @ 0V, 1MHz Numéro de pièce de base STPSC4H065

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