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STPSC806G-TR

STPSC806G-TR
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Référence STPSC806G-TR
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE SCHOTTKY 600V 8A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 29962 pcs
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Référence STPSC806G-TR Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE SCHOTTKY 600V 8A D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 29962 pcs Fiche technique STPSC806
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7V @ 8A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur D²PAK
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns Emballage Original-Reel®
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Autres noms 497-11210-6
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 175°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Silicon Carbide Schottky Description détaillée Diode Silicon Carbide Schottky 600V 8A Surface Mount D²PAK
Courant - fuite, inverse à Vr 100µA @ 600V Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A
Capacité à Vr, F 450pF @ 0V, 1MHz Numéro de pièce de base STPSC806

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