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STPSC8H065B-TR

STPSC8H065B-TR
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Référence STPSC8H065B-TR
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 55843 pcs
Référence Prix
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Référence STPSC8H065B-TR Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 55843 pcs Fiche technique STPSC8H065
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.75V @ 8A
Tension - inverse (Vr) (max) 650V Package composant fournisseur DPAK
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns Emballage Original-Reel®
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Autres noms 497-13455-6
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 175°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Silicon Carbide Schottky Description détaillée Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A Surface Mount DPAK
Courant - fuite, inverse à Vr 80µA @ 650V Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A
Capacité à Vr, F 414pF @ 0V, 1MHz Numéro de pièce de base STPSC8H065

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