STQ1NK80ZR-AP
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| Référence | STQ1NK80ZR-AP |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.112 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STQ1NK80ZR-AP | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 179016 pcs | Fiche technique | STx1NK80ZR(R-AP,-1) |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-92-3 | Séries | SuperMESH™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 Ohm @ 500mA, 10V | Dissipation de puissance (max) | 3W (Tc) |
| Emballage | Tape & Box (TB) | Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Autres noms | 497-6197-3 STQ1NK80ZRAP |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 38 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 800V |
| Description détaillée | N-Channel 800V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 300mA (Tc) |
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